Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | T. Charikova, V. Okulov, A. Gubkin, A. Lugovikh, K. Moiseev, V. Nevedomsky, Yu. Kudriavtsev, S. Gallardo, M. Lopez |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477082 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015) -
Influence of Depletion Transition Layers on Surface Polaritons in Semiconductor Films
за авторством: Beletskij, N. N., та інші
Опубліковано: (2012) -
Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Vertical spin transport in semiconductor heterostructures
за авторством: Sankowski, P., та інші
Опубліковано: (2007)