Зображення обкладинки

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	V. S. Lysenko, S. V. Kondratenko, Ye. Ye. Melnichuk, M. I. Terebinska, O. I. Tkachuk, Yu. N. Kozyrev, V. V. Lobanov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2015
Назва видання:	Surface
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000516660
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)

Quantized vortices in systems with pairing of spatially separated electrons and holes
за авторством: Shevchenko, S.I.
Опубліковано: (1997)

Excitons formed from spatially separated electrons and holes in Ge/Si geterostructures with quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2016)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Spectrum electron - hole pair insemiconductor quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2014)

Tunneling in two-layer systems with electron-hole pairing
за авторством: A. I. Bezuglyj
Опубліковано: (2020)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Superfluidity of electron-hole pairs in randomly inhomogeneous bilayer systems
за авторством: A. I. Bezuglyj, та інші
Опубліковано: (2011)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si
за авторством: Kozyrev, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)

Superfluidity of a rarefier gas of electron-hole pairs in a bilayer system
за авторством: D. V. Fil, та інші
Опубліковано: (2016)

Spectrum of electron-hole pair in quantum dots of a semiconductor nanolaser: theory
за авторством: Pokutnyi, S.I.
Опубліковано: (2004)

Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Exciton of the spatially-divided electron and hole in the quasi-zero-dimensional nanostructures
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2014)

Структура і властивості первинних поверхневих утворень германію на грані Si(001): квантовохімічні дослідження
за авторством: Tkachuk, O. I., та інші
Опубліковано: (2014)