Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | M. S. Kukurudziak, Yu. H. Dobrovolskyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2021
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001271094 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023) -
Method of "cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023) -
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014) -
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014) -
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)