Annealing-induced formation of Sn2P2S6 crystallites in As2S3-based glass matrix
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Yu. M. Azhniuk, A. V. Gomonnai, O. O. Gomonnai, S. M. Hasynets, F. Kovac, V. V. Lopushansky, I. Petryshynets, V. M. Rubish, D. R.T. Zahn |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2015
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714269 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Annealing-induced formation of Sn₂P₂S₆ crystallites in As₂S₃-based glass matrix
von: Azhniuk, Yu.M., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Laser-induced transformations in thermally evaporated thin TlInSe2 films studied by Raman spectroscopy
von: Y. M. Azhniuk, et al.
Veröffentlicht: (2023) -
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2
von: Azhniuk, Y.M., et al.
Veröffentlicht: (2024)