Annealing-induced formation of Sn2P2S6 crystallites in As2S3-based glass matrix
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | Yu. M. Azhniuk, A. V. Gomonnai, O. O. Gomonnai, S. M. Hasynets, F. Kovac, V. V. Lopushansky, I. Petryshynets, V. M. Rubish, D. R.T. Zahn |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714269 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Annealing-induced formation of Sn₂P₂S₆ crystallites in As₂S₃-based glass matrix
за авторством: Azhniuk, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2015) -
Laser-induced transformations in thermally evaporated thin TlInSe2 films studied by Raman spectroscopy
за авторством: Y. M. Azhniuk, та інші
Опубліковано: (2023) -
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019) -
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019) -
Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2024)