Effect of electron irradiation on transparent conductive films ZnO:Al deposited at different power sputtering
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | D. V. Myroniuk, A. I. Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. T. Maslyuk, I. I. Timofeeva, V. A. Baturin, O. Y. Karpenko, V. M. Kuznetsov, M. V. Dranchuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714275 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Effect of electron irradiation on transparent conductive films ZnO:Al deposited at different sputtering power
за авторством: Myroniuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
ZnO:Al wide zone “windows” deposited by magnetron sputtering on unheated substrate
за авторством: Boyko, B.Т., та інші
Опубліковано: (2000) -
High conducting transparent materials based on wide-gap ZnO
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2017) -
Effect of argon deposition pressure on the properties of aluminum-doped ZnO films deposited layer-by-layer using magnetron sputtering
за авторством: V. I. Popovych, та інші
Опубліковано: (2016) -
Effect of argon deposition pressure on the properties of aluminum-doped ZnO films deposited layer-by-layer using magnetron sputtering
за авторством: V. I. Popovych, та інші
Опубліковано: (2016)