Voids' layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | M. I. Starchyk, L. S. Marchenko, M. B. Pinkovska, G. G. Shmatko, V. I. Varnina |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714276 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Voids’ layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions
за авторством: Starchyk, M.I., та інші
Опубліковано: (2015) -
Heavy ion irradiation simulation of high dose irradiation induced radiation effects in materials
за авторством: Yongnan Zheng, та інші
Опубліковано: (2009) -
Ion beam technologies of surface modification. I. Ion cleaning and high dose implantation
за авторством: V. A. Belous, та інші
Опубліковано: (2003) -
The ordering effects of an n-Si defect structure, induced by high fluences of ions with MeV energies
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2021) -
Exposure of tungsten surface to high-flux of helium and argon ions
за авторством: Bizyukov, I.O., та інші
Опубліковано: (2014)