Зображення обкладинки

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	O. V. Konoreva, M. V. Lytovchenko, Ye. V. Malyi, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2015
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714280
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
за авторством: O. P. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Acoustic emission of the light emitting diodes (review)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)

Acoustic-stimulated relaxation of GaAs1–khPkh LEDs electroluminescence intensity
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2016)

Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2011)

1,4-bis(2,2-diphenylethenyl)benzene as an efficient emitting material for organic light emitting diodes
за авторством: Fenenko, L., та інші
Опубліковано: (2007)

AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Europium coordination compounds based on carbacylamidophosphate ligands for metal-organic light-emitting diodes (MOLEDs)
за авторством: O. O. Litsis, та інші
Опубліковано: (2013)

Technological strength and analysis of causes of weldability degradation and cracking
за авторством: V. V. Derlomenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Electrooptical and nonlinear optical properties of lyotropic liquid crystals doped with electrochromic viologens
за авторством: H. B. Bordyuh, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrooptical and nonlinear optical properties of lyotropic liquid crystals doped with electrochromic viologens
за авторством: H. B. Bordyuh, та інші
Опубліковано: (2012)

Protective barriers in nuclear power: general causes of degradation
за авторством: V. N. Vasilchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Application of N-dimethyl benzoylamidophosphate-based coordination compounds in the development of the technology for metalloorganic light-emitting diodes (MOLED)
за авторством: N. S. Kariaka, та інші
Опубліковано: (2014)

Intermittent fasting causes metabolic stress and leucopenia in young mice
за авторством: O. M. Sorochynska, та інші
Опубліковано: (2019)

Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3
за авторством: B. Kotur, та інші
Опубліковано: (2013)

Serial piecewise domains
за авторством: Gubareni, Nadiya, та інші
Опубліковано: (2018)

Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)