Polarization memory of the luminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | K. V. Michailovska, I. Z. Indutnyi, O. O. Kudryavtsev, M. V. Sopinskyy, P. E. Shepeliavyi |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714282 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Polarization memory of photoluminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011) -
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of trap states on the kinetics of luminescence and induced light absorption by Si nanoparticles in a SiO2 matrix at their excitation with femtosecond laser pulses
за авторством: V. M. Kadan, та інші
Опубліковано: (2013) -
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2011)