Buchumschlag

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
Hauptverfasser:	A. V. Naumov, O. F. Kolomys, A. S. Romanyuk, B. I. Tsykaniuk, V. V. Strelchuk, M. P. Trius, Yu. Avksentyev, A. E. Belyaev
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2015
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714330
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
von: V. R. Stempitskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
von: V. V. Korotyeyev, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
von: A. Elkadadra, et al.
Veröffentlicht: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
von: O. I. Liubchenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
von: Kundu, J., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
von: Red’ko, S.M.
Veröffentlicht: (2015)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
von: S. M. Redko
Veröffentlicht: (2015)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
von: G. I. Syngaivska, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
von: B. Sadovyi, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
von: V. N. Sheremet
Veröffentlicht: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods
von: O. Churiukova, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)