Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Ya. Bratus, R. S. Melnyk, B. D. Shanina, S. M. Okulov |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2015
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714331 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
von: Bratus, V.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Bratus, V.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Study of postimplantation annealing of SiC
von: Avramenko, S.F., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Avramenko, S.F., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
von: B. D. Shanina, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: B. D. Shanina, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
von: Shanina, B.D., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Shanina, B.D., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
von: M. M. Krasko, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. M. Krasko, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
von: M. M. Krasko, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. M. Krasko, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Microstructure and thermal conductivity of silicon infiltrated SiC-material
von: V. H. Kulych, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: V. H. Kulych, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
von: Lee, S.W., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Lee, S.W., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
von: S. W. Lee, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: S. W. Lee, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Intrinsic defects in nonstoichiometric b-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods
von: D. V. Savchenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: D. V. Savchenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
von: Bratus, O.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Bratus, O.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
von: Gaidar, G.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Gaidar, G.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
von: M. Zavada, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. Zavada, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
von: Zavada, M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Zavada, M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
von: T. B. Serbeniuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: T. B. Serbeniuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
von: O. V. Steblova, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. V. Steblova, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Structural properties of nanocomposite SiO2(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
von: O. L. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: O. L. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Use of density functional theory for modeling optical properties of vacancy defects in nanoclusters of various SiC polytypes
von: Zhikol, O.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Zhikol, O.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
von: Сербенюк, Т.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Сербенюк, Т.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Atomic and electronic structure of a-SiC
von: Ivashchenko, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ivashchenko, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Simple method for SiC nanowires fabrication
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Biomorphic SiC from peas and beans
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Biomorphic SiC from peas and beans
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Simple method for SiC nanowires fabrication
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
von: Kozlovskyi, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kozlovskyi, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
von: Bratus, V.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Study of postimplantation annealing of SiC
von: Avramenko, S.F., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
von: B. D. Shanina, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
von: Shanina, B.D., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2018)