External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714339 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
Microstructure and thermal conductivity of silicon infiltrated SiC-material
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)
Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of obtaining nanostructured silicon carbide particles from bamboo chips
за авторством: D. K. Do, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. K. Do, та інші
Опубліковано: (2014)
Sponge like nanostructured silicon for integrated light emitters
за авторством: A. Hubarevich, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. Hubarevich, та інші
Опубліковано: (2010)
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: B. D. Shanina, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: B. D. Shanina, та інші
Опубліковано: (2018)
Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Problems of producing pure silicon for solar power engineering
за авторством: V. A. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Polishing of opto-electronic equipment elements from single-crystal silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2015)
Analysis of the growth kinetics of primary silicon Crystals in hypereutectic silumins by the modification of silicon Carbide powder
за авторством: Ja. Ju. Dmitrishina
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ja. Ju. Dmitrishina
Опубліковано: (2014)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Thermoelectric properties of thin films based on pure and doped lead telluride
за авторством: B. S. Dzundza, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: B. S. Dzundza, та інші
Опубліковано: (2016)
Structural peculiarities of quench-condensed pure and argon-doped nitrous oxide
за авторством: Solodovnik, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Solodovnik, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
The Effect of Ag-Doping on the Cytotoxicity of ZnO Nanostructures Grown on Ag/Si Substrates by APMOCVD
за авторством: K. S. Naumenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: K. S. Naumenko, та інші
Опубліковано: (2022)
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014) -
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014) -
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015) -
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011) -
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)