Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | S. V. Lunov, O. V. Burban, P. F. Nazarchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730574 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)
Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of pre-dimple boundary layer thickness on flow characteristics within and downstream of a single shallow dimple
за авторством: Khalatov, A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Khalatov, A., та інші
Опубліковано: (2006)
Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)
The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of electron irradiation on excess conductivity of single Y₁Ba₂Cu₃O₇₋δ crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of electron irradiation on the transverse conductivity of YBa2Cu3O7–δ single crystal
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
IMPROVED ALGORITHM FOR CALCULATING COMPLEX NON-EQUIPOTENTIAL GROUNDING DEVICES OF ELECTRICAL INSTALLATIONS TAKING INTO ACCOUNT CONDUCTIVITY OF NATURAL GROUNDINGS
за авторством: Starkov, K. A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Starkov, K. A., та інші
Опубліковано: (2017)
EXPERIMENTAL KA-BAND GROUND-BASED SAR SYSTEM
за авторством: Bezvesilniy, O. O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bezvesilniy, O. O., та інші
Опубліковано: (2015)
Experimental Ka-Band Ground-Based Sar System
за авторством: A. A. Bezvesilnyj, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. A. Bezvesilnyj, та інші
Опубліковано: (2015)
Frustration phenomena in Josephson point contacts between single-band and three-band superconductors
за авторством: Y. S. Yerin, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Y. S. Yerin, та інші
Опубліковано: (2014)
Frustration phenomena in Josephson point contacts between single-band and three-band superconductors
за авторством: Yerin, Y.S, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yerin, Y.S, та інші
Опубліковано: (2014)
Excess conductivity and pseudogap state in YBa₂Cu₃-yAlyO₇₋δ single crystals with a system of undirectional twin boundaries
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond
за авторством: I. V. Altukhov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. V. Altukhov, та інші
Опубліковано: (2021)
Anisotropy of magnetoresistance in untwinned YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods
за авторством: O. Churiukova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. Churiukova, та інші
Опубліковано: (2015)
Josephson systems based on ballistic point contacts between single-band and multi-band superconductors
за авторством: Ju. S. Erin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. S. Erin, та інші
Опубліковано: (2015)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO4+δ (x = 0.14)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)
Linear field dependencies of conductivity and phonon-induced conductivity of 2D gas in δ-doped GaAs
за авторством: Slutskii, M.I.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Slutskii, M.I.
Опубліковано: (2004)
Conductivity of Y1–yPryVa2Su3O7–δ single crystals in wide ranges of temperature and Pr concentration
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2014)
Pseudogap and fluctuation conductivity in Y1–xPrxBa2Cu3O7–δ single crystals with different praseodymium content
за авторством: A. L. Solovev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. L. Solovev, та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiarities of fluctuation conductivity and pseudogap behavior in slightly doped HoBa2Cu3O7–δ single-crystals under pressure
за авторством: A. L. Solovev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. L. Solovev, та інші
Опубліковано: (2011)
The role of twins in the change of the conductivity characteristics of NoVa2Su3O7–δ single crystal in a reversible change of hydrostatic pressure
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2016)
Single-molecule electronic materials. Conductance of π-conjugated oligomers within quasi-correlated tight-binding model
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2019)
On Creep and Damageability of Shallow Shells
за авторством: S. N. Sklepus
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. N. Sklepus
Опубліковано: (2018)
Evolution of electrical resistance of YBa2Cu3O7–δ single crystals (δ ≈ 0.45) with applying high hydrostatic pressure
за авторством: R. V. Vovk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. V. Vovk, та інші
Опубліковано: (2012)
RESEARCH ON ELECTRIC POTENTIALS ALIGNMENT ON THE GROUND SURFACE WITHIN THE GROUNDING CONDUCTOR TERRITORY
за авторством: Nizhevskyi, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Nizhevskyi, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)
Transaminase activity in donor-cows
за авторством: V. I. Sheremeta, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. I. Sheremeta, та інші
Опубліковано: (2012)
Flexible protecting screens for microwave band on the basis of thin conducting fibers
за авторством: N. G. Kokodij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. G. Kokodij, та інші
Опубліковано: (2017)
INVESTIGATION AND CALCULATION OF VALLEYS OF OUTGOING FROM SUBSTATION GROUNDING CONDUCTORS FOR SHORT-CIRCUIT IN SINGLE-PHASE SHORT OF ELECTRICAL GRID
за авторством: Nizhevskyi, V. I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Nizhevskyi, V. I., та інші
Опубліковано: (2015)
Frustration effect on escape rate in Josephson junctions between single-band and three-band superconductors in the macroscopic quantum tunneling regime
за авторством: I. N. Askerzade, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Askerzade, та інші
Опубліковано: (2021)
GBO productivity and efficiency improvement in the shallows
за авторством: A. I. Honchar, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. I. Honchar, та інші
Опубліковано: (2013)
Calculation of the positive parity yrast bands of 190–198Hg nuclei
за авторством: K. A. Hussain, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. A. Hussain, та інші
Опубліковано: (2017)
Calculation of the positive parity yrast bands of 190–198Hg nuclei
за авторством: K. A. Hussain, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. A. Hussain, та інші
Опубліковано: (2017)
Interaction of shallow shell with subcritical potential stream
за авторством: Аврамов, К. В.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Аврамов, К. В.
Опубліковано: (2015)
Interaction of shallow shell with subcritical potential stream
за авторством: Аврамов, К. В.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Аврамов, К. В.
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002) -
Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016) -
Effect of pre-dimple boundary layer thickness on flow characteristics within and downstream of a single shallow dimple
за авторством: Khalatov, A., та інші
Опубліковано: (2006) -
Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)