Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band

Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	S. V. Lunov, O. V. Burban, P. F. Nazarchuk
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2015
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730574
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)

Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)

Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit
за авторством: Kashirina, N.I., та інші
Опубліковано: (1998)

Effect of pre-dimple boundary layer thickness on flow characteristics within and downstream of a single shallow dimple
за авторством: Khalatov, A., та інші
Опубліковано: (2006)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge‹Sb, Au› single crystals
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)

Non-linear effects in hopping conduction of single-crystal La₂CuO₄₊δ
за авторством: Belevtsev, B.I., та інші
Опубліковано: (1998)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of electron irradiation on excess conductivity of single Y₁Ba₂Cu₃O₇₋δ crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2018)

IMPROVED ALGORITHM FOR CALCULATING COMPLEX NON-EQUIPOTENTIAL GROUNDING DEVICES OF ELECTRICAL INSTALLATIONS TAKING INTO ACCOUNT CONDUCTIVITY OF NATURAL GROUNDINGS
за авторством: Starkov, K. A., та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of longitudinal magnetic field on the excess conductivity of monodomain YBa₂Cu₃O₇-δ single crystals
за авторством: Tiutierieva, K.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Розрахунок енергiї iонiзацiї основного стану мiлких донорiв в Δ1-моделi зони провiдностi монокристалiв n-Ge
за авторством: Luniov, S. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of electron irradiation on the transverse conductivity of YBa2Cu3O7–δ single crystal
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of oxygen deficit on temperature dependence of excess conductivity in Y₁Ba₂Cu₃O₇-δ single crystals
за авторством: Bondarenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Experimental Ka-Band Ground-Based Sar System
за авторством: A. A. Bezvesilnyj, та інші
Опубліковано: (2015)

EXPERIMENTAL KA-BAND GROUND-BASED SAR SYSTEM
за авторством: Bezvesilniy, O. O., та інші
Опубліковано: (2015)

Experimental Ka-Band Ground-Based SAR System
за авторством: Bezvesilniy, O.O., та інші
Опубліковано: (2015)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)

Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods
за авторством: O. Churiukova, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods
за авторством: Churiukova, O., та інші
Опубліковано: (2015)

Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond
за авторством: I. V. Altukhov, та інші
Опубліковано: (2021)

Frustration phenomena in Josephson point contacts between single-band and three-band superconductors
за авторством: Y. S. Yerin, та інші
Опубліковано: (2014)

Frustration phenomena in Josephson point contacts between single-band and three-band superconductors
за авторством: Yerin, Y.S, та інші
Опубліковано: (2014)

Specific features of the thermoluminescence kinetics of shallow traps in anion-defective single crystals of aluminum oxide
за авторством: Kortov, V.S., та інші
Опубліковано: (2005)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)

RESEARCH ON ELECTRIC POTENTIALS ALIGNMENT ON THE GROUND SURFACE WITHIN THE GROUNDING CONDUCTOR TERRITORY
за авторством: Nizhevskyi, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Josephson systems based on ballistic point contacts between single-band and multi-band superconductors
за авторством: Ju. S. Erin, та інші
Опубліковано: (2015)

Single-molecule electronic materials. Conductance of π-conjugated oligomers within quasi-correlated tight-binding model
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2019)

Excess conductivity and pseudogap state in YBa₂Cu₃-yAlyO₇₋δ single crystals with a system of undirectional twin boundaries
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Evolution of over-conductivity of YВа₂Сu₃О₇-δ single crystals under the exposure of irradiation by high-energy electrons
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

On Creep and Damageability of Shallow Shells
за авторством: S. N. Sklepus
Опубліковано: (2018)

Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

INVESTIGATION AND CALCULATION OF VALLEYS OF OUTGOING FROM SUBSTATION GROUNDING CONDUCTORS FOR SHORT-CIRCUIT IN SINGLE-PHASE SHORT OF ELECTRICAL GRID
за авторством: Nizhevskyi, V. I., та інші
Опубліковано: (2015)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO4+δ (x = 0.14)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of high pressure on conductivity in the basal plane of Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals lightly doped of praseodymium
за авторством: Khadzhai, G.Ya., та інші
Опубліковано: (2014)

Linear field dependencies of conductivity and phonon-induced conductivity of 2D gas in δ-doped GaAs
за авторством: Slutskii, M.I.
Опубліковано: (2004)