Mechanism of photocurrent amplification in injection photodiodes based on a photosensitive polycrystalline CdS film
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | I. B. Sapaev, Sh. A. Mirsagatov, B. Sapaev, R. R. Kabulov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059738 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)
Current-voltage characteristics of the injection photodetector based on M(In)-CdS-Si-M(In) structure
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)
Structure and optical properties of CdS polycrystalline layers for solar cells based on CdS/CdTe
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2019)
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
High-temperature injection spectroscopy of deep traps in CdTe polycrystalline films
за авторством: Opanasyuk, A.S., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Opanasyuk, A.S., та інші
Опубліковано: (2003)
Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)
Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
Recrystallization processes in screen-printed CdS films
за авторством: Klad’ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Klad’ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2002)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Thin film solar cells on CdS/CdTe/ITO base
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
Structure model of bistable current switching in CdS films
за авторством: Panchekha, P.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Panchekha, P.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
A facile route for preparation of CdS nanoparticles
за авторством: Maleki, M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Maleki, M., та інші
Опубліковано: (2007)
Development of back contact for CdS/CdTe thin-film solar cells
за авторством: Khrypunov, G., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Khrypunov, G., та інші
Опубліковано: (2010)
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Optical spectra of small CdS nanocrystals
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Synthesis and electrophysical properties of heterostructures CuS/CdS and Ag2S/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Metastable interstitials in CdSe and CdS crystals
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
Синтез та електрофізичні властивості гетероструктур CuS/CdS та Ag₂S/CdS
за авторством: Прокопенко, С.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Прокопенко, С.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
CdS films growth by chemical bath deposition technique with substrate vibrating agitation
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2011)
CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Sublinear reverse current-voltage characteristics of thick film structures based on CdTe
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2014)
Thin films CdS/CdTe solar cells with different activation processes base layer
за авторством: G. S. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. S. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2011)
Film solar cells ITO/SnO2/CdS/CdTe/Cu/Au
за авторством: G. S. Khripunov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. S. Khripunov, та інші
Опубліковано: (2014)
Thin films CdS/CdTe solar cells with different activation processes base layer
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2011)
Piezo-mechanical impedance of nanosized CdS single crystal
за авторством: A. B. Bogoslovskaya, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. B. Bogoslovskaya, та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014) -
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013) -
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019) -
Current-voltage characteristics of the injection photodetector based on M(In)-CdS-Si-M(In) structure
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019) -
Structure and optical properties of CdS polycrystalline layers for solar cells based on CdS/CdTe
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2019)