Photoelectric phenomena in the hyperfine (3-20 μm) gap gas discharge with a semiconductor electrode
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | Z. Khajdarov, Kh. T. Juldashev, B. Z. Khajdarov, S. Urmonov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059739 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Investigation of a hyperfine gas-discharge cell with a platinum alloy silicon semiconductor electrode
за авторством: Z. Khajdarov
Опубліковано: (2011) -
Investigation of the characteristics of an image converter in a hyperfine gas-discharge cell with a semiconductor electrode
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015) -
Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015) -
Features of autoelectronic emission in the superthin gap of the gas-discharge cell in ionization semi-conductor the chamber
за авторством: 3. X. Khajdarov
Опубліковано: (2006) -
On the possibility of enhancing the photocurrent of a gas discharge plasma in ionization-type imaging converters
за авторством: Sh. S. Kasymov, та інші
Опубліковано: (2010)