The model of clusters formation on the surface of semiconductor crystals of the A3B5 group
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автор: | Ja. A. Sychikova |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059742 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
The way of photonic crystal formation in A³B³ and A²B⁶ semiconductors
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)
Effect of surface condition on strain in semiconductor crystal sample
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2001)
X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Surface luminescence of A2B6 semiconductor quantum dots (Review)
за авторством: D. V. Korbutiak, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: D. V. Korbutiak, та інші
Опубліковано: (2021)
On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag3AsS3
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)
Formation of atomic composition of A3B5 heterostructures at ionized beam epitaxy
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2004)
The quantum nature of the formation mechanisms of Ag monolayer structures on the monocrystalline semiconductor surfaces
за авторством: L. I. Karbovskaja, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: L. I. Karbovskaja, та інші
Опубліковано: (2019)
Single-photon superradiance in a single-crystal semiconductor film in the saturation mode
за авторством: A. G. Moiseev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. G. Moiseev, та інші
Опубліковано: (2018)
Formation and properties of intercalatal nanostructures of an inorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2018)
Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
The effect of the electrolyte composition on the value of the threshold voltage of the onset of pore formation of indium phosphide
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
Investigation of xenon cluster surface by polarization bremsstrahlung spectra: Pseudo-crystal state
за авторством: E. V. Gnatchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. V. Gnatchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Isotope effects in the formation of surface water clusters in heterogeneous system
за авторством: V. V. Turov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Turov, та інші
Опубліковано: (2015)
Spectrum of bound states of nucleus 10B in a three-cluster microscopic model
за авторством: A. V. Nesterov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Nesterov, та інші
Опубліковано: (2014)
Spectrum of bound states of nucleus 10B in a three-cluster microscopic model
за авторством: A. V. Nesterov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Nesterov, та інші
Опубліковано: (2014)
Of the formation of cluster model of handling engineering in Ukraine
за авторством: E. V. Stepanova
Опубліковано: (2010)
за авторством: E. V. Stepanova
Опубліковано: (2010)
Синтез производных 5-оксиимидазо[4,5-b]-[1,2,3]триазоло[5,4-b]пиридин-2-онов
за авторством: Смоляр, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Смоляр, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Presentations of Cluster Modular Groups and Generation by Cluster Dehn Twists
за авторством: Ishibashi, Tsukasa
Опубліковано: (2020)
за авторством: Ishibashi, Tsukasa
Опубліковано: (2020)
Ion synthesis of narrow-bandgap A3V5 semiconductor nanocrystals in silicon matrix for optoelectronics systems
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2011)
Cluster formations of conducting quantum structures in single-crystal silicon for solar energy
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2009)
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2009)
Microscopic description of 8Li and 8B nuclei within a three-cluster model
за авторством: V. S. Vasilevsky, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. S. Vasilevsky, та інші
Опубліковано: (2017)
Microscopic description of 8Li and 8B nuclei within a three-cluster model
за авторством: V. S. Vasilevsky, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. S. Vasilevsky, та інші
Опубліковано: (2017)
Enthalpy of formation of impurity-vacancy complexes in crystals A 2B6
за авторством: I. V. Horichok
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. V. Horichok
Опубліковано: (2012)
Polishing of precision surfaces of optoelectronic technology elements from glass, sitals, optical and semiconductor crystals. Review
за авторством: Yu. D. Filatov
Опубліковано: (2020)
за авторством: Yu. D. Filatov
Опубліковано: (2020)
Low-dimensional structures on the surface of indium phosphide
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
Carbides of A3B5 compounds - new class materials for opto- and microelectronics
за авторством: V. I. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. I. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2012)
Cluster crystallization of aqueous glycerol solutions
за авторством: E. V. Davydova, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. V. Davydova, та інші
Опубліковано: (2011)
Phenomenological renormalization group and cluster approximation
за авторством: O. Borisenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. Borisenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Phenomenological renormalization group and cluster approximation
за авторством: O. Borisenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. Borisenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound
за авторством: Savkina, R.K.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Savkina, R.K.
Опубліковано: (2012)
Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Radiation-induced formation of "heavy" clusters in binary crystals
за авторством: N. Mykytenko
Опубліковано: (2016)
за авторством: N. Mykytenko
Опубліковано: (2016)
Radiation-induced formation of "heavy" clusters in binary crystals
за авторством: N. O. Mykytenko
Опубліковано: (2016)
за авторством: N. O. Mykytenko
Опубліковано: (2016)
Prosperity and difficulty of bulk crystal growth of semiconductor compound (a review)
за авторством: Rudolph, P.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Rudolph, P.
Опубліковано: (2007)
Crystal chemistry of reactions on solid surfaces
за авторством: Ja. O. Shablovskij
Опубліковано: (2020)
за авторством: Ja. O. Shablovskij
Опубліковано: (2020)
Theoretical models for structural phase transitions in molecular clusters and crystals of inorganic compounds
за авторством: Grebenyuk, A.G.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Grebenyuk, A.G.
Опубліковано: (2004)
Modelling and diagnostics of damages and strains in a crystal of Gd3Ga5O12 after implantation of F ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
The way of photonic crystal formation in A³B³ and A²B⁶ semiconductors
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2003) -
Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013) -
Effect of surface condition on strain in semiconductor crystal sample
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2001) -
X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005) -
Surface luminescence of A2B6 semiconductor quantum dots (Review)
за авторством: D. V. Korbutiak, та інші
Опубліковано: (2021)