The model of clusters formation on the surface of semiconductor crystals of the A3B5 group
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автор: | Ja. A. Sychikova |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059742 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The way of photonic crystal formation in A³B³ and A²B⁶ semiconductors
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2003) -
Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013) -
Electret effect in intercalated crystals of the A³B⁶ group
за авторством: Grygorchak, I., та інші
Опубліковано: (2007) -
Effect of surface condition on strain in semiconductor crystal sample
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2001) -
X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)