Investigation of the characteristics of an image converter in a hyperfine gas-discharge cell with a semiconductor electrode
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | Kh. T. Juldashev, Sh. S. Kasymov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001059749 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Investigation of a hyperfine gas-discharge cell with a platinum alloy silicon semiconductor electrode
за авторством: Z. Khajdarov
Опубліковано: (2011) -
Photoelectric phenomena in the hyperfine (3-20 μm) gap gas discharge with a semiconductor electrode
за авторством: Z. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015) -
Investigation of the effect of current amplification on the photoelectrographic and output characteristics of an ionization-type image converter
за авторством: Sh. S. Kasymov, та інші
Опубліковано: (2011) -
On the possibility of enhancing the photocurrent of a gas discharge plasma in ionization-type imaging converters
за авторством: Sh. S. Kasymov, та інші
Опубліковано: (2010)