InAs photodiodes (review)
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, I. M. Matiiuk, A. I. Tkachuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061479 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018)
Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodi-odes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs
за авторством: Kаrpenko, А.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kаrpenko, А.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
за авторством: Martin, P.M., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Martin, P.M., та інші
Опубліковано: (1998)
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
за авторством: Yegorov, A. D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yegorov, A. D., та інші
Опубліковано: (2012)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
за авторством: Yegorov, A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Yegorov, A., та інші
Опубліковано: (2009)
Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Yu. Dobrovolsky, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. Dobrovolsky, та інші
Опубліковано: (2015)
Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Dobrovolsky, Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Dobrovolsky, Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017)
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)
Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)
Mechanism of photocurrent amplification in injection photodiodes based on a photosensitive polycrystalline CdS film
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Investigation High Sensitive Photo Detector Device Based on the Avalanche Photodiode for Optoelectronic Measuring Systems
за авторством: I. A. Braginets, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. A. Braginets, та інші
Опубліковано: (2016)
Ukrainian regulatory policy's target priorities to ensure decent working conditions ina platform economy
за авторством: O. V. Pankova, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: O. V. Pankova, та інші
Опубліковано: (2021)
A small-sized spectrometric detection block of the scintillator-photodiode system for determination of radionuclide localization sites
за авторством: Nekrasov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nekrasov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Схожі ресурси
-
InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018) -
Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020) -
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)