Buchumschlag

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
1. Verfasser:	Ya. Ya. Kudryk
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2015
Schriftenreihe:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061481
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Low-dimensional structures on the surface of indium phosphide
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of defective structure of indium phosphide on the edges of digestion
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2012)

On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
von: Ja. A. Sychikova
Veröffentlicht: (2010)

Technological bases forming porous space surface phosphide indium
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2014)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
von: Ya. Ya. Kudryk, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Method for data processing in application to ohmic contacts
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Transverse chemomagnetic EDS in indium phosphide upon interaction with atomic hydrogen
von: V. V. Styrov, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
von: Boltovets, M.S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
von: M. S. Boltovets, et al.
Veröffentlicht: (2010)

The effect of the electrolyte composition on the value of the threshold voltage of the onset of pore formation of indium phosphide
von: Ja. A. Sychikova
Veröffentlicht: (2010)

Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
von: Red’ko, R., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
von: V. N. Sheremet
Veröffentlicht: (2014)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
von: V. N. Litvinenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: Sai, P.O.
Veröffentlicht: (2016)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: P. O. Sai
Veröffentlicht: (2016)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Mechanical properties of boron phosphides
von: V. L. Solozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
von: P. O. Sai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
von: P. O. Sai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
von: V. V. Basanets, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
von: M. Y. Chumak, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
von: V. N. Sheremet
Veröffentlicht: (2013)

Vacuum wetting and contact interaction of some of the metallic melts with indium and tin oxides
von: M. F. Hryhorenko, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)

On melting of boron phosphide under pressure
von: Solozhenko, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2015)

On melting of boron phosphide under pressure
von: V. L. Solozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)