Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автор: | Ya. Ya. Kudryk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061481 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Low-dimensional structures on the surface of indium phosphide
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
Investigation of defective structure of indium phosphide on the edges of digestion
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
Technological bases forming porous space surface phosphide indium
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)
Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2019)
Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2019)
Transverse chemomagnetic EDS in indium phosphide upon interaction with atomic hydrogen
за авторством: V. V. Styrov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. V. Styrov, та інші
Опубліковано: (2011)
Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)
Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)
The effect of the electrolyte composition on the value of the threshold voltage of the onset of pore formation of indium phosphide
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)
Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)
Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2014)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)
Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)
The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Mechanical properties of boron phosphides
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)
Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2013)
Vacuum wetting and contact interaction of some of the metallic melts with indium and tin oxides
за авторством: M. F. Hryhorenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. F. Hryhorenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)
Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
On melting of boron phosphide under pressure
за авторством: Solozhenko, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Solozhenko, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)
On melting of boron phosphide under pressure
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015) -
Low-dimensional structures on the surface of indium phosphide
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012) -
Investigation of defective structure of indium phosphide on the edges of digestion
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012) -
On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010) -
Technological bases forming porous space surface phosphide indium
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)