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Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
Hauptverfasser:	P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2015
Schriftenreihe:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061482
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