Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the sample bulk
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автор: | V. F. Onyshchenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061489 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016) -
Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)