Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the sample bulk
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автор: | V. F. Onyshchenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061489 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016)
Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)
Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of substrate and macropore surface on photoconductivity in two-dimensional structures of macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2014)
Relaxation of silicon non-equilibrium depletion with majority charge carriers in strong electric fields, its mechanisms and ways to damp it
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2008)
Photoconductivity in macroporous silicon with regular structure of macropores
за авторством: Ivanov, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)
Calculation of photoconductivity spectra in silicon with surfaces structured with macropores
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2019)
Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2018)
Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2018)
Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2019)
Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
Conductivity and photo-induced conductivity of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Conductivity and photo-induced conductivity of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
The effect of photoconductivity localization in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2016)
Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Peculiarities of surface photoconductivity relaxation in the structures of macroporous silicon in the visible spectrum
за авторством: M. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2020)
Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors
за авторством: Zabolotny, M.A.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Zabolotny, M.A.
Опубліковано: (2003)
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)
On equilibrium charge distribution above dielectric surface
за авторством: Lytvynenko, D.M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Lytvynenko, D.M., та інші
Опубліковано: (2009)
Development and optical characteristics of the macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Exciton-polaritons in 2D macroporous silicon structures with nano-coatings
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2020)
Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)
Photoelectrical characteristics of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Influence oxide coatings on negative photoconductivity in structures macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2013)
Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Formation of Amorphous State in Bulk Samples of the Iron-Based Multicomponent Alloys
за авторством: V. K. Nosenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. K. Nosenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Electro-optical effects in 2D macroporous silicon structures with nanocoatings
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)
Electro-optical effects in 2D macroporous silicon structures with nanocoatings
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016) -
Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)