Fundamental limits for the MOSFET conduction channel length taking the real profile of the barrier potential into account

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2021
Hauptverfasser:	M. V. Strikha, А. Kurchak
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2021
Schriftenreihe:	Ukrainian journal of physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001276417
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