AFM Study of Surface of the Metallic Condensates on the Monocrystalline Silicon and Energy Parameters of Interface Interactions in the ‘Metallic Condensate—Semiconductor' System
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | B. P. Koman, I. M. Rovetskyi, V. M. Yuzevych |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Metallophysics and advanced technologies |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001360540 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Size Dependence of Mechanical Stresses in the Metal Condensates on Silicon
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2014)
Formation of Metallic Electrical Conduction in Films of Vacuum Condensates of Metals
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2014)
Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)
Model of metals interface and method of small parameter in tasks of adhesion theory
за авторством: P. M. Dzhala, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. M. Dzhala, та інші
Опубліковано: (2014)
Formation of metallic character of electrical conduction in the vacuum condensates of copper deposited on a surface of a sublayer of silicon of subatomic thickness
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2013)
Thermodynamic and adhesive parameters of nanolayers in the system "metal-dielectric"
за авторством: Yuzevych, V.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yuzevych, V.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Modelling of interrelations of mechanical, electric and chemical parameters of metal surface
за авторством: R. M. Dzhala, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: R. M. Dzhala, та інші
Опубліковано: (2018)
Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
The quantum nature of the formation mechanisms of Ag monolayer structures on the monocrystalline semiconductor surfaces
за авторством: L. I. Karbovskaja, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: L. I. Karbovskaja, та інші
Опубліковано: (2019)
On Bose condensation of exitons in quasi-two-dimensional semiconductor heterostructures
за авторством: V. B. Timofeev
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. B. Timofeev
Опубліковано: (2012)
The Statistical Analysis of Structure of the Metal Condensates Obtained by a Sputtering at Phase Equilibrium
за авторством: A. I. Olemskoj, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Olemskoj, та інші
Опубліковано: (2012)
Coulomb interaction potential and Bose–Einstein condensate
за авторством: V. B. Bobrov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. B. Bobrov, та інші
Опубліковано: (2015)
Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2001)
Energy spectrum of transition metal impurity in a semiconductor with an ideal surface
за авторством: Melnychuk, S.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Melnychuk, S.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
AFM study of instability of growing crystal surface morphology
за авторством: Piskunova, N.N.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Piskunova, N.N.
Опубліковано: (2010)
Condensed from the vapor phase composite materials metal matrix. Report 2. Microlayer materials
за авторством: M. I. Hrechaniuk
Опубліковано: (2010)
за авторством: M. I. Hrechaniuk
Опубліковано: (2010)
Systems of particles with interaction and the cluster formation in condensed matter
за авторством: Krasnoholovets, V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Krasnoholovets, V., та інші
Опубліковано: (2003)
AFM surface analysis of Fe-Co-Mo electrolytic coatings
за авторством: Yu. Yermolenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Yu. Yermolenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Spatial distribution of exciton condensed phases in semiconductor quantum wells in external fields
за авторством: V. I. Sugakov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. I. Sugakov, та інші
Опубліковано: (2011)
Gas-dynamic parameters of the district pipelines with condensate accumulations
за авторством: L. A. Novikov
Опубліковано: (2016)
за авторством: L. A. Novikov
Опубліковано: (2016)
Coupling parameter for low-temperature plasma with condensed phase
за авторством: Vishnyakov, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vishnyakov, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Condensed from the vapor phase composite materials metal matrix. Report 1. Dispersed-strong materials
за авторством: M. I. Hrechaniuk
Опубліковано: (2010)
за авторством: M. I. Hrechaniuk
Опубліковано: (2010)
Formation and ionization of nanodisperse condensed phase around of heated metallic particle and electrotransport in such a system
за авторством: L. A. Ljalin, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: L. A. Ljalin, та інші
Опубліковано: (2012)
Contact interaction and wetting of polycrystallic silicon by metal melts
за авторством: V. P. Krasovskij, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. P. Krasovskij, та інші
Опубліковано: (2018)
Finite-temperature Bose–Einstein condensation in interacting boson system
за авторством: D. Anchyshkin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: D. Anchyshkin, та інші
Опубліковано: (2019)
Finite-temperature Bose–Einstein condensation in interacting boson system
за авторством: D. Anchishkin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: D. Anchishkin, та інші
Опубліковано: (2019)
On capacity characteristics of condensers
за авторством: Zorii, N. V., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Zorii, N. V., та інші
Опубліковано: (1996)
A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
The distribution of atoms on the surface during the condensation of a monoatomic layer
за авторством: A. S. Dolgov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. S. Dolgov, та інші
Опубліковано: (2011)
Determinism of the symmetry of a single-crystalline surface of interface at obtaining 0D- and 2D-structues of noble metals and indium on silicon
за авторством: Karbivska, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Karbivska, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Determinism of the symmetry of a single-crystalline surface of interface at obtaining 0D- and 2D-structues of noble metals and indium on silicon
за авторством: L. I. Karbivska, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: L. I. Karbivska, та інші
Опубліковано: (2019)
Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon
за авторством: Gutsulyak, B.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Gutsulyak, B.I., та інші
Опубліковано: (2005)
Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: Size effects
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)
Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: Size effects
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)
Role of single-particle and pair condensates in Bose systems with arbitrary intensity of interaction
за авторством: Peletminskii, A.S., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Peletminskii, A.S., та інші
Опубліковано: (2013)
Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Size Dependence of Mechanical Stresses in the Metal Condensates on Silicon
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2014) -
Formation of Metallic Electrical Conduction in Films of Vacuum Condensates of Metals
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2014) -
Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000) -
Model of metals interface and method of small parameter in tasks of adhesion theory
за авторством: P. M. Dzhala, та інші
Опубліковано: (2014) -
Formation of metallic character of electrical conduction in the vacuum condensates of copper deposited on a surface of a sublayer of silicon of subatomic thickness
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2013)