AFM Study of Surface of the Metallic Condensates on the Monocrystalline Silicon and Energy Parameters of Interface Interactions in the ‘Metallic Condensate—Semiconductor' System
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | B. P. Koman, I. M. Rovetskyi, V. M. Yuzevych |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Metallophysics and advanced technologies |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001360540 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Size Dependence of Mechanical Stresses in the Metal Condensates on Silicon
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2014) -
Formation of Metallic Electrical Conduction in Films of Vacuum Condensates of Metals
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2014) -
Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000) -
Model of metals interface and method of small parameter in tasks of adhesion theory
за авторством: P. M. Dzhala, та інші
Опубліковано: (2014) -
Thermodynamic and adhesive parameters of nanolayers in the system "metal-dielectric"
за авторством: Yuzevych, V.M., та інші
Опубліковано: (2018)