Frequencies of normal vibrations of oxygen complexes on silicon (111) face
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | M. I. Terebinska, V. V. Lobanov, A. G. Grebenyuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000136818 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Vibrational state of the cluster simulating adsorptioncomplexes of oxygen on Si (100) border
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014) -
Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Triplet-singlet transitions during the adsorption of O2 molecules on the face Si(111)
за авторством: M. I. Terebinskaja, та інші
Опубліковано: (2015) -
Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
за авторством: Terebinska, M.I., та інші
Опубліковано: (2010) -
Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)