Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автор: | O. O. Gavrylyuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000282189 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO₂(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2014) -
Non-stoichiometric silicon oxides SiOx (x < 2)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018)