Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | O. V. Konoreva, Ye. V. Malyi, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000339720 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013) -
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: Hontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2016) -
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016) -
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: Konoreva, O.V., та інші
Опубліковано: (2015)