Buchumschlag

Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	O. V. Konoreva, Ye. V. Malyi, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Nuclear physics and atomic energy
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000339720
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
von: V. H. Vorobiov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: O. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: Hontaruk, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: Vernydub, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Characteristics of ADS target irradiated by 200…400 MeV proton beam
von: Svistunov, Yu.A., et al.
Veröffentlicht: (2013-04-04)

New target assembly for solid samples irradiation in 11-MeV medical cyclotron
von: Bondar, B.M., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Nd-Fe-B magnets under electron irradiation with the energy of 23 MeV
von: Bovda, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Formation of MeV energy ion beams with high current density for materials micro-irradiation
von: Romanenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)

A system for polymer film irradiation with heavy ions accelerated to the energy of 1 MeV/u
von: Bomko, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Magnetic field losses in Nd-Fe-B magnets under 10 MeV electron irradiation
von: Bovda, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

30 MeV injector for a synchrotron
von: Chernov, K., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Elastic deuteron-triton scattering AT 37MeV
von: Belyuskina, O.O., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Acoustic-stimulated relaxation of GaAs1–khPkh LEDs electroluminescence intensity
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Generation of MeV -energy protons in WWER reactor core
von: Gann, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

The ordering effects of an n-Si defect structure, induced by high fluences of ions with MeV energies
von: H. P. Haidar, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
von: I. P. Storozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
von: O. P. Budnyk, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Effect of 1. 9-MeV electron irradiation on characteristics of reactively-pressed TiB2-TiS ceramic composites
von: I. N. Totsky, et al.
Veröffentlicht: (2013)