Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | R. M. Korkishko, V. P. Kostylyov, N. A. Prima, A. V. Sachenko, O. A. Serba, T. V. Slusar, V. V. Chernenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352566 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015) -
Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)