Gaidar, G. P. (2014). Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Gaidar, G. P. Investigation of the Influence of Isovalent Impurity of Silicon and -irradiation (60Co) on Electrophysical Parameters of N-Ge Sb. 2014.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Gaidar, G. P. Investigation of the Influence of Isovalent Impurity of Silicon and -irradiation (60Co) on Electrophysical Parameters of N-Ge Sb. 2014.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.