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Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
1. Verfasser:	G. P. Gaidar
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352568
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