Dislocation emission caused by different types of nanoscale deformation defects in CdTe
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | V. N. Babentsov, V. A. Boyko, S. G. Gasan-zade, G. A. Shepelskii, S. V. Stariy |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352569 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Dislocation emission caused by different types of nanoscale deformation defects in CdTe
за авторством: Babentsov, V.N., та інші
Опубліковано: (2014) -
Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe
за авторством: Babentsov, V.N.
Опубліковано: (2006) -
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012) -
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012) -
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)