Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | S. I. Tiagulskyi, A. N. Nazarov, S. O. Gordienko, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, T. M. Nazarova, Yu. V. Gomeniuk, V. S. Lysenko, L. Rebohle, M. Voelskow, W. Skorupa, Y. Koshka |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352570 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014) -
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005) -
Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008) -
Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009) -
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)