Buchumschlag

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	S. I. Tiagulskyi, A. N. Nazarov, S. O. Gordienko, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, T. M. Nazarova, Yu. V. Gomeniuk, V. S. Lysenko, L. Rebohle, M. Voelskow, W. Skorupa, Y. Koshka
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352570
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
von: Tiagulskyi, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
von: Nazarov, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
von: Nazarov, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
von: Nazarov, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Hydrogen plasma treatment of silicon thin-film structures and nanostructured layers
von: Nazarov, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Flexible electroluminescent panels
von: Vlaskin, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si₁₋xCx:H films
von: Vasin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si1-xCx:H films
von: A. V. Vasin, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
von: R. M. Rudenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
von: R. M. Rudenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Structural features of doped silicon single crystals
von: Azarenkov, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Formation of electroluminescence in an electrode–molecule–electrode system
von: V. O. Leonov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Formation of electroluminescence in an electrode–molecule–electrode system
von: V. O. Leonov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Application of ferroelectrics to create electroluminescent indicators of temperature
von: V. G. Boyko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Features of selecting dielectric layers for electroluminescent structures
von: V. H. Boiko, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Application of ferroelectrics to create electroluminescent indicators of temperature
von: Boyko, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures
von: Y. V. Gomeniuk
Veröffentlicht: (2012)

Current transport mechanisms in metal – high-k dielectric – silicon structures
von: Gomeniuk, Y.V.
Veröffentlicht: (2012)

Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
von: Kaganovich, E.B., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps
von: Vlaskin, V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2007)

The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties
von: Rudenko, T.E., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Interlayer coupling in Tb/Fe bilayers and Tb/Au/Fe trilayers with sharp or rough interface
von: Shypil, E.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
von: Rodionov, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
von: Z. U. Dzhabua, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
von: Smyntyna, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
von: V. N. Rodionov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Thermodynamic properties of alloys In—Tb system
von: A. S. Dudnyk, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Photonuclear transmutation doping of the n-type detector silicon
von: Bochek, G.L., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Conversion efficiency in silicon solar cells with spatially non-uniform doping
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)

NEW LOOK TO PROBLEM OF ANOMALOUS ENRICHING OF PRECAMBRIAN CARBONATES BY HEAVY ISOTOPE OF CARBON
von: Sobotovich, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Novel polymer metal complexes as precursors for electroluminescent materials
von: Savchenko, I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
von: Azarenkov, N.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
von: V. G. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
von: V. H. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements
von: Yu. V. Gomeniuk
Veröffentlicht: (2012)