Зображення обкладинки

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	S. I. Tiagulskyi, A. N. Nazarov, S. O. Gordienko, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, T. M. Nazarova, Yu. V. Gomeniuk, V. S. Lysenko, L. Rebohle, M. Voelskow, W. Skorupa, Y. Koshka
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352570
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Hydrogen plasma treatment of silicon thin-film structures and nanostructured layers
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Flexible electroluminescent panels
за авторством: Vlaskin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si₁₋xCx:H films
за авторством: Vasin, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si1-xCx:H films
за авторством: A. V. Vasin, та інші
Опубліковано: (2015)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Formation of electroluminescence in an electrode–molecule–electrode system
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)

Formation of electroluminescence in an electrode–molecule–electrode system
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)

Application of ferroelectrics to create electroluminescent indicators of temperature
за авторством: V. G. Boyko, та інші
Опубліковано: (2012)

Features of selecting dielectric layers for electroluminescent structures
за авторством: V. H. Boiko, та інші
Опубліковано: (2021)

Application of ferroelectrics to create electroluminescent indicators of temperature
за авторством: Boyko, V.G., та інші
Опубліковано: (2012)

Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures
за авторством: Y. V. Gomeniuk
Опубліковано: (2012)

Current transport mechanisms in metal – high-k dielectric – silicon structures
за авторством: Gomeniuk, Y.V.
Опубліковано: (2012)

Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps
за авторством: Vlaskin, V., та інші
Опубліковано: (2009)

Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)

The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties
за авторством: Rudenko, T.E., та інші
Опубліковано: (2020)

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Interlayer coupling in Tb/Fe bilayers and Tb/Au/Fe trilayers with sharp or rough interface
за авторством: Shypil, E.V., та інші
Опубліковано: (2001)

Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)

Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)

Thermodynamic properties of alloys In—Tb system
за авторством: A. S. Dudnyk, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Conversion efficiency in silicon solar cells with spatially non-uniform doping
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Photonuclear transmutation doping of the n-type detector silicon
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)

NEW LOOK TO PROBLEM OF ANOMALOUS ENRICHING OF PRECAMBRIAN CARBONATES BY HEAVY ISOTOPE OF CARBON
за авторством: Sobotovich, E. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Novel polymer metal complexes as precursors for electroluminescent materials
за авторством: Savchenko, I., та інші
Опубліковано: (2012)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements
за авторством: Yu. V. Gomeniuk
Опубліковано: (2012)