Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | S. I. Tiagulskyi, A. N. Nazarov, S. O. Gordienko, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, T. M. Nazarova, Yu. V. Gomeniuk, V. S. Lysenko, L. Rebohle, M. Voelskow, W. Skorupa, Y. Koshka |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352570 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Flexible electroluminescent panels
за авторством: Vlaskin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vlaskin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
Formation of electroluminescence in an electrode–molecule–electrode system
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)
Formation of electroluminescence in an electrode–molecule–electrode system
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)
Application of ferroelectrics to create electroluminescent indicators of temperature
за авторством: V. G. Boyko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. G. Boyko, та інші
Опубліковано: (2012)
Features of selecting dielectric layers for electroluminescent structures
за авторством: V. H. Boiko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. H. Boiko, та інші
Опубліковано: (2021)
Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps
за авторством: Vlaskin, V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Vlaskin, V., та інші
Опубліковано: (2009)
Phase transitions in TbMnO₃ manganites
за авторством: Dyakonov, V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dyakonov, V., та інші
Опубліковано: (2012)
Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures
за авторством: Y. V. Gomeniuk
Опубліковано: (2012)
за авторством: Y. V. Gomeniuk
Опубліковано: (2012)
Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si₁₋xCx:H films
за авторством: Vasin, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vasin, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si1-xCx:H films
за авторством: A. V. Vasin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Vasin, та інші
Опубліковано: (2015)
Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
Thermodynamic properties of alloys In—Tb system
за авторством: A. S. Dudnyk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. S. Dudnyk, та інші
Опубліковано: (2021)
Phase transitions in TbMnO3 manganites
за авторством: V. Dyakonov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. Dyakonov, та інші
Опубліковано: (2012)
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Novel polymer metal complexes as precursors for electroluminescent materials
за авторством: Savchenko, I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Savchenko, I., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)
Electroluminescence powdered ZnS:Cu obtained by one-stage synthesis
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2015)
Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements
за авторством: Gomeniuk, Yu.V.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gomeniuk, Yu.V.
Опубліковано: (2012)
Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements
за авторством: Yu. V. Gomeniuk
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. V. Gomeniuk
Опубліковано: (2012)
Photonuclear transmutation doping of the n-type detector silicon
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)
Electroluminescence powdered ZnS:Cu obtained by one-stage synthesis
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
Conversion efficiency in silicon solar cells with spatially non-uniform doping
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
NEW LOOK TO PROBLEM OF ANOMALOUS ENRICHING OF PRECAMBRIAN CARBONATES BY HEAVY ISOTOPE OF CARBON
за авторством: Sobotovich, E. V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Sobotovich, E. V., та інші
Опубліковано: (2010)
The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires
за авторством: Efremov, A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Efremov, A., та інші
Опубліковано: (2007)
Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2010)
Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014) -
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005) -
Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008) -
Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009) -
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)