Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, L. V. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352781 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
за авторством: Umeno, Y., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Umeno, Y., та інші
Опубліковано: (2008)
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)
Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: B. D. Shanina, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: B. D. Shanina, та інші
Опубліковано: (2018)
Ordering and polytypism in A₃ᴵᴵB₂ⱽ crystals
за авторством: Chuiko, G.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Chuiko, G.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)
Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)
Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of obtaining nanostructured silicon carbide particles from bamboo chips
за авторством: D. K. Do, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. K. Do, та інші
Опубліковано: (2014)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
Sponge like nanostructured silicon for integrated light emitters
за авторством: A. Hubarevich, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. Hubarevich, та інші
Опубліковано: (2010)
Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014) -
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015) -
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013) -
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013) -
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)