Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	O. Konoreva, E. Malyj, S. Mamykin, I. Petrenko, M. Pinkovska, V. Tartachnyk
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352787
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: Hontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2006)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: Konoreva, O.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics
за авторством: Kanevsky, S.O., та інші
Опубліковано: (2003)

Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)

Acoustic emission of the light emitting diodes (review)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)

Numerical study of electrical characteristics of conjugated polymer light-emitting diodes
за авторством: Abouelaoualim, D., та інші
Опубліковано: (2008)

1,4-bis(2,2-diphenylethenyl)benzene as an efficient emitting material for organic light emitting diodes
за авторством: Fenenko, L., та інші
Опубліковано: (2007)

Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2011)

Europium coordination compounds based on carbacylamidophosphate ligands for metal-organic light-emitting diodes (MOLEDs)
за авторством: O. O. Litsis, та інші
Опубліковано: (2013)

Europium coordination compounds based on carbacylamidophosphate ligands for metal-organic light-emitting diodes (MOLEDs)
за авторством: Litsis, O.O., та інші
Опубліковано: (2013)

Acoustic-emission method of control of defects-formation process in light-emitting structures
за авторством: O. V. Lyashenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures
за авторством: Lyashenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Application of N-dimethyl benzoylamidophosphate-based coordination compounds in the development of the technology for metalloorganic light-emitting diodes (MOLED)
за авторством: N. S. Kariaka, та інші
Опубліковано: (2014)

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Optical spectroscopy and microscopy of radiationinduced light-emitting point defects in lithium fluoride crystals and films
за авторством: Montereali, R.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Acoustic-stimulated relaxation of GaAs₁₋хPх LEDs electroluminescence intensity
за авторством: Konoreva, O.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Краснов, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)

Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)