Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nano-film of layered semiconductor
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | A. V. Derevyanchuk, O. V. Pugantseva, V. M. Kramar |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352788 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nanofilm of layered semiconductor
за авторством: Derevyanchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2014) -
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015) -
Spatial confinement, self-polarization and exciton–phohon interaction effect on the location of exciton line in lead iodide nanofilms
за авторством: Kramar, V.M., та інші
Опубліковано: (2014)