Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nano-film of layered semiconductor
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Derevyanchuk, O. V. Pugantseva, V. M. Kramar |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352788 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Spatial confinement, self-polarization and exciton–phohon interaction effect on the location of exciton line in lead iodide nanofilms
за авторством: Kramar, V.M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kramar, V.M., та інші
Опубліковано: (2014)
Spatial confinement, self-polarization and exciton–phohon interaction effect on the location of exciton line in lead iodide nanofilms
за авторством: V. M. Kramar, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. M. Kramar, та інші
Опубліковано: (2014)
Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands
за авторством: Grigorchuk, N. I.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Grigorchuk, N. I.
Опубліковано: (1999)
Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Temperature changes of the exciton transition energy in lead di-iodide nanofilms
за авторством: Pugantseva, O.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Pugantseva, O.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Temperature changes of the exciton transition energy in lead di-iodide nanofilms
за авторством: O. V. Pugantseva, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. V. Pugantseva, та інші
Опубліковано: (2013)
Exciton absorption spectra of KPb₂Br₅ thin films
за авторством: Kovalenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kovalenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Exciton absorption spectrum of Cs₄PbCl₆ thin films
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs₃Bi₂I₉ layered crystals
за авторством: Machulin, V.F., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Machulin, V.F., та інші
Опубліковано: (2004)
Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2015)
Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: Vertsimakha, G.V.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vertsimakha, G.V.
Опубліковано: (2015)
Light absorption by excited exciton states in layered InSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Exciton absorption spectrum of thin (KI)₁₋x(PbI₂)x films
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2013)
The enhancement of the absorption bands in the infrared spectra of low-temperature films of uracil with using interference
за авторством: Ju. Ivanov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ju. Ivanov, та інші
Опубліковано: (2018)
Exciton states in semiconductor nanosystems
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2016)
Preparation methods for nano-sized structures using films of chalcogenide glassy semiconductors
за авторством: Petrov, V. V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Petrov, V. V., та інші
Опубліковано: (2016)
Excitons and exciton quasimolecules states in nanosystems of semiconductor quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2019)
The exciton absorption spectrum of thin films of superionic conductor CuPb3Br7
за авторством: O. N. Junakova, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. N. Junakova, та інші
Опубліковано: (2016)
Structure and mechanical properties of nano-layered Ti–V/S films
за авторством: V. I. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. I. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2022)
The effect of structural phase transition of exciton absorption spectrum of thin CsPbCl3 films
за авторством: O. N. Junakova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. N. Junakova, та інші
Опубліковано: (2014)
Study of the absorption band in the range 0.3-0.9 eV inherent to solid solutions p-Ge₁₋xSix irradiated by fast electrons at the temperature 77 K
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Exciton-polaritons in 2D macroporous silicon structures with nano-coatings
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2020)
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
The optical absorption spectra and band gap energies investigation for highly ordered thin films of dihydrodibenzotetraazaannulene
за авторством: V. H. Udovytskyi
Опубліковано: (2009)
за авторством: V. H. Udovytskyi
Опубліковано: (2009)
The exciton absorption spectrum of thin films of ternary compounds in the AgBr–PbBr2 system
за авторством: E. N. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: E. N. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of a capping ligand on the band gap and excitonic levels in colloidal solutions and films of ZnSe quantum dots
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of a capping ligand on the band gap and excitonic levels in colloidal solutions and films of ZnSe quantum dots
за авторством: M. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2019)
Exciton spectrum in multi-shell hexagonal semiconductor nanotube
за авторством: Makhanets, O.M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Makhanets, O.M., та інші
Опубліковано: (2012)
The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of absorption saturation on the shape of CdSe absorption edge
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2014)
Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation
за авторством: Mikhailov, I.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Mikhailov, I.F., та інші
Опубліковано: (2006)
On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)
Ordered Dissipative Structures in Exciton Systems in Semiconductor Quantum Wells
за авторством: Chernyuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Chernyuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2006)
The role of tin in the formation of micro- and nano-structured surfaces of layered Si–Sn–Si films
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2023)
The role of tin in the formation of micro- and nano-structured surfaces of layered Si–Sn–Si films
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2023)
Influence of Depletion Transition Layers on Surface Polaritons in Semiconductor Films
за авторством: Beletskij, N. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Beletskij, N. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015) -
Spatial confinement, self-polarization and exciton–phohon interaction effect on the location of exciton line in lead iodide nanofilms
за авторством: Kramar, V.M., та інші
Опубліковано: (2014) -
Spatial confinement, self-polarization and exciton–phohon interaction effect on the location of exciton line in lead iodide nanofilms
за авторством: V. M. Kramar, та інші
Опубліковано: (2014)