Nanocrystalline Ge films created by thermal vacuum deposition on GaAs substrates: structural and electric properties
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | V. L. Borblik, A. A. Korchevoi, A. S. Nikolenko, V. V. Strelchuk, A. M. Fonkich, Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352928 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Nanocrystalline Ge films created by thermal vacuum deposition on GaAs substrates: structural and electric properties
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2014) -
Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2014) -
Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016) -
Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components
за авторством: Belgat, M., та інші
Опубліковано: (2004) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)