Dobrovolskyi, Y., Pidkamin, L., Brus, V., & Kuzenko, V. (2014). Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Dobrovolskyi, Yu, L. Pidkamin, V. Brus, та V. Kuzenko. Photodiode Based on Epitaxial Silicon with High Sensitivity at the Wavelength 254 Nm. 2014.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Dobrovolskyi, Yu, et al. Photodiode Based on Epitaxial Silicon with High Sensitivity at the Wavelength 254 Nm. 2014.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.