Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | O. V. Steblova, A. A. Evtukh, O. L. Bratus, L. L. Fedorenko, M. V. Voitovych, O. S. Lytvyn, O. O. Gavrylyuk, Yu. Semchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352938 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2011)
Structural properties of nanocomposite SiO2(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2011)
Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)
Nanostructuring the SiOx layers by using laser-induced self-organization
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanostructuring the SiOₓ layers by using laser-induced self-organization
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Electron field emission from SiOx films
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Gavrylyuk, O. O.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gavrylyuk, O. O.
Опубліковано: (2014)
Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
Optical study of thermally induced phase separation in evaporated SiOx films
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2004)
Laser-stimulated phase transformations in thin SiOx and CNx–Ni layers
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Disappearance of aligning properties of deposited SiOx films as caused by external factors
за авторством: Kolomzarov, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kolomzarov, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)
The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
за авторством: Михайловская, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Михайловская, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Laser heating effect on Raman spectra of Si nanocrystals embedded into SiOx matrix
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films
за авторством: Plyaka, S.N., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Plyaka, S.N., та інші
Опубліковано: (1999)
Температурний та лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)
Chemical composition and light emission properties of Si-rich-SiOx layers prepared by magnetron sputtering
за авторством: Khomenkova, L., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Khomenkova, L., та інші
Опубліковано: (2007)
Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014) -
Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2011)