The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | V. S. Kiselov, P. M. Lytvyn, A. S. Nikolenko, V. V. Strelchuk, Yu. Yu. Stubrov, M. P. Tryus, A. E. Belyaev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352939 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2014) -
Structure and electrophysical properties of the diamond–graphen–silicon carbide composite
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Analysis of the growth kinetics of primary silicon Crystals in hypereutectic silumins by the modification of silicon Carbide powder
за авторством: Ja. Ju. Dmitrishina
Опубліковано: (2014) -
Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)