Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | Ye. Ye. Melnichuk, Yu. V. Hyrka, S. V. Kondratenko, Yu. N. Kozyrev, V. S. Lysenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353040 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Melnichuk, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2014) -
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015) -
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)