Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | A. S. Stanetskaja, V. N. Tomashik, I. B. Stratijchuk, Z. F. Tomashik, S. N. Galkin |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363507 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2015) -
Peculiarities of ZnSe dissolution in H₂O₂—HBr -ethylene glycol (oxalic acid) etchant compositions
за авторством: Kravtsova, A.S., та інші
Опубліковано: (2013) -
Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: V. M. Tomashyk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: Tomashyk, V.M., та інші
Опубліковано: (2013) -
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
за авторством: Станецкая, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)