Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | N. I. Karas |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363512 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Influence oxide coatings on negative photoconductivity in structures macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2013)
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Calculation of photoconductivity spectra in silicon with surfaces structured with macropores
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoconductivity in macroporous silicon with regular structure of macropores
за авторством: Ivanov, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
The effect of photoconductivity localization in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of substrate and macropore surface on photoconductivity in two-dimensional structures of macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2014)
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
Peculiarities of surface photoconductivity relaxation in the structures of macroporous silicon in the visible spectrum
за авторством: M. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2020)
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Monopolar photoconductivity of the inversion layer and "slow"-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2018)
"Slow" surface levels and relaxation of photoconductivity in the structures of macroporous silicon in the violet range of the optical spectrum
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoelectrical characteristics of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Amplitude hysteresis of the sur-face reactance of a layered superconductor
за авторством: S. S. Apostolov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. S. Apostolov, та інші
Опубліковано: (2016)
Collective excitations of the electron gas on the nanotube sur-face in magnetic field
за авторством: A. M. Ermolaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. M. Ermolaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Conductivity and photo-induced conductivity of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Conductivity and photo-induced conductivity of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Cross-section of the photoeffect averaged over the atomic electrons
за авторством: S. N. Fedotkin
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. N. Fedotkin
Опубліковано: (2016)
ANALYSIS OF CHANGES IN THE DISTANCE OF THE FRESNEL LENS TO THE CONCENTRATION SUR-FACE TO ENSURE THE FUNCTIONING OF THE STIRLING ENGINE
за авторством: Golovko , V. M., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Golovko , V. M., та інші
Опубліковано: (2024)
Development and optical characteristics of the macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Studying the Tribological Pro perties of n-alkanes Monolayer Films on Atomic Flat Sur face of Gold
за авторством: A. A. Vasko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. A. Vasko, та інші
Опубліковано: (2019)
Coherent oscillations in IR spectra of 2D macroporous silicon structures with surface nanocoatings
за авторством: L. A. Karachevtseva
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. A. Karachevtseva
Опубліковано: (2020)
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)
Peculiarities of physical processes of formation of silicon surface-barrier structures
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2024)
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
Method of "cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
Electro-optical effects in 2D macroporous silicon structures with nanocoatings
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)
Exciton-polaritons in 2D macroporous silicon structures with nano-coatings
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Electro-optical effects in 2D macroporous silicon structures with nanocoatings
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Influence oxide coatings on negative photoconductivity in structures macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2013) -
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Calculation of photoconductivity spectra in silicon with surfaces structured with macropores
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Photoconductivity in macroporous silicon with regular structure of macropores
за авторством: Ivanov, V.I., та інші
Опубліковано: (2007) -
The effect of photoconductivity localization in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2016)