Compensation of parasitic elements of transistor in the class F amplifier with the tuning of impedances at harmonics
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | A. P. Efimovich, V. G. Kryzhanovskij |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405240 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Inverse class-f power amplifier using slot resonators as a harmonic filter
за авторством: Ju. V. Rassokhina, та інші
Опубліковано: (2014) -
Features of the amplifying properties of a field-effect transistor in a circuit with dynamic load
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Unsaturated Regime as Alternative Method to Provide Stability of Low-Noise Amplifier on High-Electron-Mobility Transistors
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Analyzing the particularities of electronic circuits simulation in the software package Simulink using a transistor amplifier as an example
за авторством: I. V. Melnyk
Опубліковано: (2016) -
Investigation of the effect of noise on the operation of the charge sensitive amplifier with compensated pyroelectric interference
за авторством: V. I. Startsev, та інші
Опубліковано: (2015)