Magnetic and kinetic properties of crystals Hg1–x–yCdxDyySe
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | T. T. Kovaljuk, E. V. Majstruk, P. D. Marjanchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405246 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Study on Cu2ZnSnSe4 crystals and heterojunctions on their basis
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2018)
Deformation-Induced Interfacial Interaction in Elastically-Plastically Deformed Single Crystals of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Koman, B.P.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Koman, B.P.
Опубліковано: (2017)
Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1998)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
Определение характеристических параметров n-CdxHg₁₋xTe по квантовым осцилляциям
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
Thermoelectric figure of merit of Hg1-xMnxS, Hg1-x-uMnxFeyS and Hg1-xMnxTe1-zSz crystals
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Layer structure formation in Hg₁₋xCdxTe films after high-frequency sonication
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg₁₋xCdxTe quantum wells
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in r+–r–r– structures of CdxHg1–xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29)
за авторством: N. J. Ismayilov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. J. Ismayilov, та інші
Опубліковано: (2018)
Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1996)
Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
за авторством: B. E. Bekirov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: B. E. Bekirov, та інші
Опубліковано: (2018)
Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)
Density of heavy hole states of Hg₁-xCdxTe in an isotropic nonparabolic approximation by exact measurements of electron concentration
за авторством: Bogoboyashchyy, V.V.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Bogoboyashchyy, V.V.
Опубліковано: (2001)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)
Analysis of fluctuation conductivity in Y1–khCdxBa2Cu3O7–δ (x = 0–0.4)
за авторством: V. M. Aliev, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. M. Aliev, та інші
Опубліковано: (2020)
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)
Исследование энергетических и зарядовых состояний ионов Со в Hg₁₋xCoxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1995)
Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2018)
Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2018)
Magnetic and superconducting properties of FeSe₁–xTex (x≃0, 0.5, and 1.0)
за авторством: Fedorchenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Fedorchenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014) -
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014) -
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009) -
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007) -
Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)