Two-channel microwave power switch construction on the basis of electrically active semiconductor structures
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | Ju. N. Lavrich, S. V. Plaksin, Ja. Krys, L. M. Pogorelaja, I. I. Sokolovskij |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405253 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Studying options to construct microwave radiation converters being transmitted from orbital cell microwave power installations into current with commercial frequency based on active solid-state semi-conducting structures
за авторством: V. A. Dzenzerskij, та інші
Опубліковано: (2012) -
Powerful High-Voltage Generators with the Semiconductor Switches
за авторством: N. I. Bojko
Опубліковано: (2014) -
On constructing a switching regression with unknown switching points
за авторством: A. S. Korkhin
Опубліковано: (2018) -
Controlled switching SF6 breakers in the main power electrical grids
за авторством: V. V. Kuchanskyi
Опубліковано: (2017) -
An approximate method of constructing a switching regression with unknown switching points
за авторством: A. S. Korkhin
Опубліковано: (2020)