Зображення обкладинки

Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	P. D. Marjanchuk, L. N. Dymko, T. R. Romanishin, T. T. Kovaljuk, V. V. Brus, M. N. Solovan, A. I. Mostovoj
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405259
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем
за авторством: Maryanchuk, P. D., та інші
Опубліковано: (2014)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)

Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)

Two-dimensional semimetal in HgTe-based quantum wells
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)

Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2015)

Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011)

Quantum capacitance of three-dimensional topological insulator based on a HgTe
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2017)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)

Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2018)

Energy band gap and electrical conductivity of Cd1-xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: L. A. Kosyachenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)

Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)

Magnetic and kinetic properties of crystals Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Thermoelectric figure of merit of Hg1-xMnxS, Hg1-x-uMnxFeyS and Hg1-xMnxTe1-zSz crystals
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of concentration dependences of thermal conductivity in (PbTe)1-x (Bi2Te3)x semiconductor solid solutions
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)

Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)

Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)

Определение характеристических параметров n-CdxHg₁₋xTe по квантовым осцилляциям
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)

Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)

Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Investigation of the physical properties of multi-component solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2005)

Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)

Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)