Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2014
|
| Schriftenreihe: | Technology and design in electronic equipment |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405260 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs
von: Филь, Д.В.
Veröffentlicht: (1999)
von: Филь, Д.В.
Veröffentlicht: (1999)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
von: P. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: P. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovskiy, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Krukovskiy, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре
von: Горбунов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Горбунов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
von: Петров, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Петров, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
von: Daweritz, L., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Daweritz, L., et al.
Veröffentlicht: (1998)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
von: Sapaev, B., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Sapaev, B., et al.
Veröffentlicht: (2005)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
von: Dmitruk, N.L., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Dmitruk, N.L., et al.
Veröffentlicht: (2005)
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
von: A. F. Djadenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. F. Djadenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Static domain in device with intervalley electron transfer on the basis of variband AlGaAs
von: I. P. Storozhenko
Veröffentlicht: (2015)
von: I. P. Storozhenko
Veröffentlicht: (2015)
Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах
von: Vainberg, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Vainberg, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)