Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures

Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskij, Ju. N. Khoverko, R. N. Koretskij
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405304
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)

Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum magnetoresistance in Si <B, Ni> whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)

Low temperature characteristics of germanium whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Dual-function pressure-temperature sensor based on silicon whiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Spin-orbit coupling in strained Ge whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Critical fields and features of electromagnetic transport of Bi2Se3 whiskers at low temperatures
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)

Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)

Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)

Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)

The influence of SiC and Al2O3 whiskers on the properties of whisker-reinforced cBN-based composites
за авторством: Ju. Ju. Rumjantseva, та інші
Опубліковано: (2019)

Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: A. O. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Seebeck's effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)

An analytical accumulation mode SOI pMOSFET model for high-temperature analog applications
за авторством: Houk, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)

SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures
за авторством: Boutry-Forveille, A., та інші
Опубліковано: (1998)

Measuring system for magnetic field and temperature with digital signal processing
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of reinforcement by the whiskers of Si₃N₄ and Mg₂B₂O₅ on the properties of cBN-based composites
за авторством: Rumiantseva, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)

Sensitive element of multifunctional sensor for measuring temperature, strain and magnetic field induction
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)

Sensitive element of multifunctional sensor for measuring temperature, strain and magnetic field induction
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006)

On Standards for Mechanical Testing of Materials at Cryogenic Temperatures
за авторством: Novogrudskii, L.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Electron beam welding of aluminum 1570 alloy and mechanical properties of its joints at cryogenic temperatures
за авторством: V. V. Skriabinskyi, та інші
Опубліковано: (2022)

Fabrication of silicon nanowhiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2011)

Low-frequency noise in nFinFETs of different dimensions processed in strained and non-strained SOI wafers
за авторством: Lukyanchikova, N., та інші
Опубліковано: (2008)

Mechanical properties of HfB2 whiskers
за авторством: S. N. Dub, та інші
Опубліковано: (2013)