Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | P. I. Baranskyi, H. P. Haidar |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000438181 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
Calculation of the anisotropy parameter for galaxy clusters
за авторством: S. S. Kutlimuratov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: S. S. Kutlimuratov, та інші
Опубліковано: (2024)
Calculation of the anisotropy parameter for galaxy clusters
за авторством: S. S. Kutlimuratov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: S. S. Kutlimuratov, та інші
Опубліковано: (2024)
Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
On the critical behaviour of random anisotropy magnets: cubic anisotropy
за авторством: Dudka, M., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Dudka, M., та інші
Опубліковано: (2001)
In-plane anisotropy effect on critical transition field in nanogranular films with perpendicular anisotropy
за авторством: M. M. Kulyk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. M. Kulyk, та інші
Опубліковано: (2015)
In-plane anisotropy effect on critical transition field in nanogranular films with perpendicular anisotropy
за авторством: M. M. Kulyk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. M. Kulyk, та інші
Опубліковано: (2015)
Can globular clusters in the galaxy Be classified by the velocity anisotropy parameter?
за авторством: I. U. Tadjibaev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. U. Tadjibaev, та інші
Опубліковано: (2019)
Can globular clusters in the galaxy be classified by the velocity anisotropy parameter?
за авторством: I. U. Tadjibaev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. U. Tadjibaev, та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)
Anisotropy of thermoelectric properties of multi-valley semiconductors of cubic symmetry under the influence of external directional effects
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2014)
Irreversibility and the anisotropy of the low-temperature magnetization of manganites. Spin-glass polyamorphism
за авторством: V. A. Sirenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. A. Sirenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Interconnection between phase and amplitude parameters with anisotropy of Muller-matrix invariants
за авторством: A. G. Ushenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. G. Ushenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Low-temperature electrical conduction and thermoelectromotive force of copper films with nanometre thickness
за авторством: Z. V. Stasiuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. V. Stasiuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of the SiC Particle Orientation Anisotropy on the Tensile Properties of a Spray-Formed SiCp/Al-Si Composite
за авторством: W. Li, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: W. Li, та інші
Опубліковано: (2014)
Magnetic anisotropy in Fe phthalocyanine film deposited on Si(110) substrate: standing configuration
за авторством: Bartolomé, J., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Bartolomé, J., та інші
Опубліковано: (2017)
Magnetic anisotropy in Fe phthalocyanine film deposited on Si(110) substrate: standing configuration
за авторством: J. Bartolomй, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: J. Bartolomй, та інші
Опубліковано: (2017)
Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
Vortex polarity switching in magnets with surface anisotropy
за авторством: O. V. Pylypovskyi, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Pylypovskyi, та інші
Опубліковано: (2015)
Anisotropy of the yield strength and struc-tural parameters of nanocrystalline titanium obtained by cryodeformation
за авторством: V. A. Moskalenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. A. Moskalenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Mueller-matrix reconstruction of parameters of phase and amplitude anisotropy in diagnostics of endometriosis and infertility
за авторством: A. G. Ushenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. G. Ushenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Electron-electron drag in crystals with multivalley band
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Manifestation of perpendicular anisotropy in nanogranular ferromagnetic films
за авторством: S. M. Rjabchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. M. Rjabchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Investigations of short range ordering in Fe-(5-6)% (at.) Si single crystals with diffusive magnetic anisotropy
за авторством: Serikov, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Serikov, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Laboratory experiment on check of speed light anisotropy
за авторством: Izmailov, G. N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Izmailov, G. N., та інші
Опубліковано: (2013)
Anisotropy of deformation and fracture processes in sapphire surface
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2015)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
The surface magnetic anisotropy of the CoFe2O4 nanoparticles with giant low-temperature hysteresis
за авторством: K. A. Mozul, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: K. A. Mozul, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013) -
Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012) -
Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014) -
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017) -
Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)